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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第1页 > ZTX549A
PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 30伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX549
ZTX549A
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗：在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
ZTX549A
基射
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
ZTX549
ZTX549A
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
70
80
40
100
150
-0.9
-0.85
200
130
80
160
200
3-191
300
500
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-0.25
-0.50
分钟。
-35
-30
-5
-0.1
-10
-0.1
-0.50
-0.75
-0.30
-1.25
-1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
-35
-30
-5
-2
-1
1
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
单位
V
V
V
A
A
A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA
I
E
=-100
A
V
CB
=-30V
V
CB
= -30V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-1mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
IC = -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
V
V
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
ZTX549
ZTX549A
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
300
50
分钟。
100
25
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
ns
ns
条件。
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-50mA
3-192
ZTX549
ZTX549A
典型特征
TD ， TR ， TF
（纳秒）
180
0.8
160
140
ts
（纳秒）
I
B1
=I
B2
=I
C
/10 1800
1600
1400
ts
tr
1200
1000
td
800
600
400
tf
0.01
0.1
1
200
0
V
CE （ SAT ）
- （伏）
0.6
120
开关时间
100
80
60
40
20
0.4
I
C
/I
B
=100
0.2
I
C
/I
B
=10
0
0.01
0.1
1
10
0
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
转换速度
200
1.4
160
120
1.2
V
BE （ SAT ）
- （伏）
h
FE
- 增益
V
CE
=2V
1.0
I
C
/I
B
=100
I
C
/I
B
=10
80
0.8
40
0.6
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
10
1.0
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
I
C
- 集电极电流（安培）
V
BE
- （伏）
0.9
1
0.8
0.7
0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.3ms
0.1ms
0.6
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
-
集电极电压（伏特）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3-193
PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 30伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX549
ZTX549A
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗：在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
ZTX549A
基射
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
ZTX549
ZTX549A
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
70
80
40
100
150
-0.9
-0.85
200
130
80
160
200
3-191
300
500
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-0.25
-0.50
分钟。
-35
-30
-5
-0.1
-10
-0.1
-0.50
-0.75
-0.30
-1.25
-1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
-35
-30
-5
-2
-1
1
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
单位
V
V
V
A
A
A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA
I
E
=-100
A
V
CB
=-30V
V
CB
= -30V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-1mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
IC = -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
V
V
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
ZTX549
ZTX549A
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
300
50
分钟。
100
25
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
ns
ns
条件。
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-50mA
3-192
ZTX549
ZTX549A
典型特征
TD ， TR ， TF
（纳秒）
180
0.8
160
140
ts
（纳秒）
I
B1
=I
B2
=I
C
/10 1800
1600
1400
ts
tr
1200
1000
td
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600
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tf
0.01
0.1
1
200
0
V
CE （ SAT ）
- （伏）
0.6
120
开关时间
100
80
60
40
20
0.4
I
C
/I
B
=100
0.2
I
C
/I
B
=10
0
0.01
0.1
1
10
0
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
转换速度
200
1.4
160
120
1.2
V
BE （ SAT ）
- （伏）
h
FE
- 增益
V
CE
=2V
1.0
I
C
/I
B
=100
I
C
/I
B
=10
80
0.8
40
0.6
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
10
1.0
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
I
C
- 集电极电流（安培）
V
BE
- （伏）
0.9
1
0.8
0.7
0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.3ms
0.1ms
0.6
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
-
集电极电压（伏特）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
3-193
PNP硅平面
中功率晶体管
第1期？ MARCH 94
特点
* 30伏V
首席执行官
* 1安培连续电流
* P
合计
= 1瓦
ZTX549
ZTX549A
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
功耗：在T
AMB
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
参数
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
ZTX549A
基射
饱和电压
基射
饱和电压
静态正向电流
传输比
ZTX549
ZTX549A
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
70
80
40
100
150
-0.9
-0.85
200
130
80
160
200
3-191
300
500
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
-0.25
-0.50
分钟。
-35
-30
-5
-0.1
-10
-0.1
-0.50
-0.75
-0.30
-1.25
-1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
典型值。
马克斯。
-35
-30
-5
-2
-1
1
5.7
电子线
TO92兼容
价值
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+200
单位
V
V
V
A
A
A
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
条件。
I
C
=-100
A
I
C
=-10mA
I
E
=-100
A
V
CB
=-30V
V
CB
= -30V ，T
AMB
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -100mA ，我
B
=-1mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-100mA*
IC = -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -50mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -2A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
V
V
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
≤
2%
ZTX549
ZTX549A
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
跃迁频率
输出电容
开关时间
符号
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
300
50
分钟。
100
25
典型值。
马克斯。
单位
兆赫
pF
ns
ns
条件。
I
C
= -100mA ，V
CE
=-5V
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
I
C
= -500mA ，V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-50mA
3-192
ZTX549
ZTX549A
典型特征
TD ， TR ， TF
（纳秒）
180
0.8
160
140
ts
（纳秒）
I
B1
=I
B2
=I
C
/10 1800
1600
1400
ts
tr
1200
1000
td
800
600
400
tf
0.01
0.1
1
200
0
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- （伏）
0.6
120
开关时间
100
80
60
40
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0.4
I
C
/I
B
=100
0.2
I
C
/I
B
=10
0
0.01
0.1
1
10
0
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE （ SAT ）
V I
C
转换速度
200
1.4
160
120
1.2
V
BE （ SAT ）
- （伏）
h
FE
- 增益
V
CE
=2V
1.0
I
C
/I
B
=100
I
C
/I
B
=10
80
0.8
40
0.6
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
-
集电极电流（安培）
I
C
-
集电极电流（安培）
h
FE
V I
C
10
1.0
I
C
/I
B
=10
V
BE （ SAT ）
V I
C
在T单脉冲测试
AMB
=25°C
I
C
- 集电极电流（安培）
V
BE
- （伏）
0.9
1
0.8
0.7
0.1
特区
1s
100ms
10ms
1.0ms
0.3ms
0.1ms
0.6
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
I
C
-
集电极电流（安培）
V
CE
-
集电极电压（伏特）
V
BE（上）
V I
C
安全工作区
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ZL50018QCG1
ZM331643C
ZB4BW065
ZB4-BW065
ZSR850N8
供货商
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数量
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单价/备注
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    电话：0755-23063133/23042311
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    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    ZTX549A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
    QQ： 点击这里给我发消息
    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    -
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    -
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联系人：周
地址：广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
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