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的PolyZen
聚合物增强型齐纳二极管
微型组件
过电压电路保护产品
产品: ZEN132V260A16CE
文档: SCD28170
REV字母:A
版本日期: 2012年6月7日
第8页号: 1
规范状态:已发布
概述
TE电路保护
的PolyZen器件
聚合物增强,
精密齐纳二极管
微型组件。
他们提供可复位的
保护
多瓦故障
没有事件
需要用于多瓦特
散热片。
在的PolyZen用于电压钳位齐纳二极管微
组件是由于选择其相对平坦电压随
电流响应。这有助于提高输出电压钳位,
即使当输入电压高,且二极管的电流是大的。
所述的PolyZen微型组件的先进特征是
齐纳二极管热耦合到一个电阻的非线性,
聚合物PTC (正温度系数)层。这PTC
层被完全集成到设备中,并在电
V系列之间
IN
与二极管钳位V
OUT
.
这一先进的PTC层响应要么延长二极管
加热或过流事件由低到高的转变
电阻状态,也被称为“跳闸” 。 PTC动作会
限制电流并产生电压降。它有助于保护双方
齐纳二极管和后续电子和有效
增加了二极管的功率处理能力。
该聚合物增强型齐纳二极管可帮助保护敏感
便携式电子设备免受损坏所造成的感应电压
尖峰,电压瞬变,不正确电源和反
偏见。这些设备特别适合于便携式
电子和其它低功率DC器件。
好处
稳定的齐纳二极管有助于下游盾
过压和反向偏置电子
跳闸事件关闭了过压和反向偏置
来源
跳闸事件模拟自然减少上游
感应尖峰
最低功耗的要求
单组分布局
特点
过压瞬变抑制
稳定的V
Z
VS故障电流
延时,过电压跳闸
时间延迟,反向偏置之旅
多瓦的功率处理能力
集成设备建设
符合RoHS
目标应用
在便携式电子设备的直流电源端口保护
使用系统直流电源端口保护
桶插孔电源输入
内部过电压&瞬态抑制
直流输出电压调节
平板电脑和便携式电子产品
典型应用框图
电源
(内部或外部)
的PolyZen保护电子
2
V
IN
1
GND
+
的PolyZen
设备
V
OUT
3
监管
产量
R
负载
保护下游
电子
的PolyZen
聚合物增强型齐纳二极管
微型组件
过电压电路保护产品
产品: ZEN132V260A16CE
文档: SCD28170
REV字母:A
版本日期: 2012年6月7日
第8页编号: 2
CON组fi guration信息
引脚配置(顶视图)
2
GND
1
1
V
IN
框图
高分子PTC
V
IN
齐纳
二极管
V
OUT
3
V
OUT
2
GND
引脚说明
引脚数
1
2
3
引脚名称
V
IN
GND
V
OUT
引脚功能
V
IN
.
受保护的输入稳压二极管
GND
V
OUT
.
齐纳稳压输出电压
机械DIMMENSIONS
宽度
高度
L
W
H
(A)
B(2X)
C
T(2X)
典型值
(mm)
最大
4.8
3.8
0.8
0.7
0.9
3.9
0.1
5.0
4.0
1.0
0.8
1.0
4.05
0.2
5.2
4.2
1.2
0.9
1.1
4.2
0.3
的PolyZen
聚合物增强型齐纳二极管
微型组件
过电压电路保护产品
产品: ZEN132V260A16CE
文档: SCD28170
REV字母:A
版本日期: 2012年6月7日
第8页编号: 3
条款的德网络nition
I
PTC
, I
HOLD
I
PTC
I
FLT
I
OUT
跳闸事件
电流流过的的PTC部分
电路
RMS的故障电流流经二极管
目前流出的V
OUT
该装置的销
一个条件,其中所述PTC转换到一个高
电阻状态,从而显著限制我
PTC
和相关的电流。
时该装置的所述PTC部分保持在一
高电阻状态。
I
OUT
V
IN
V
OUT
I
FLT
耐力
GND
一般特定网络阳离子
工作温度
储存温度
-40 °C至+ 85°C
-40 °C至+ 85°C
典型电气特性
1-3, 11
(典型的,除非另有规定)
V
Z4
(V)
I
zt4
(A)
典型值
最大
I
HOLD5
(A)
漏电流
R
Typ6
R1
Max7
(欧姆多个) (欧姆多个)
V
INT
最大
8
I
FLT
最大
9
跳电网
耗散
10
TEST
最大
@ 20C @ 60C电压电流
(V)
(M A)
TEST
TEST
TEST
V
INT
最大
I
FLT
最大
POW ER
当前
电压
电压
(V)
(A)
(W)
(A)
(V)
(V)
13.20 13.40 13.65
0.1
2.6
2.0
13.15
5.0
0.032
0.045
16
5
+3
-40
+16
-12
1
16
电气特性,在25℃测定,除非另有规定。
此装置适用于有限的故障保护。反复跳闸事件或延长行程耐力会降低设备和
可能会影响性能规格。性能的影响将依赖于多种因素,包括但不限于:
电压,电流跳闸,跳闸时间,跳闸周期和电路设计。有关详细信息或评级特定于应用程序的联系TE
连接电路保护部直接。
注3 :规格采用1.0盎司0.045 “宽铜线上专用的FR4电路板的测试开发。在性能上你
应用可以变化。
注4 :我
zt
是当前在该V
z
测量(V
Z
= V
OUT
) 。其他V
Z
值可根据要求提供。
注5 :我
HOLD
:最大稳态我
PTC
(电流进入或离开在V
IN
销装置的) ,不会产生在跳机事件
规定的温度。规范假定我
FLT
(电流流过齐纳二极管)是足够低的,以便防止
从作为热源的二极管。测试与“开放”的齐纳进行。
注6 :v典型值: V之间的电阻
IN
和V
OUT
在室温下在正常操作期间的引脚。
注7 :v
1Max
: V之间的最大阻力
IN
和V
OUT
在室温下销,一小时后,第一跳闸事件或之后
再溢流焊接。
注8 : V
INT
最大: V
INT
最大值被定义为典型的资格的设备(98%的设备,95%置信度)在存活上的电压
至少100趟次循环和24个小时,在规定的电压和电流(I跳闸耐力
PTC
). V
INT
最大测试使用进行
一个"shorted"负载(V
OUT
= 0 V). V
INT
马克斯是一个生存能力的评价,而不是绩效评价。对于收视成绩,见注2 。
注9 :我
FLT
最大值:最大RMS故障电流的装置的二极管部分能承受并保持复位。规范
依赖于电流流过二极管的方向。 RMS故障电流超过我
FLT
最大可能永久损坏
的PolyZen器件。规范假定我
OUT
= 0测试空载连接到V进行
出。
注10 :由设备消散时,在“跳闸”状态,测量TE测试板(见注3 )电源。
注11 :根据有限数据的资格,并受到产品规格改变。
注1 :
注2 :
的PolyZen
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过电压电路保护产品
产品: ZEN132V260A16CE
文档: SCD28170
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典型器件特性
的PolyZen
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产品: ZEN132V260A16CE
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