ICmic
TM
这X25160设备已收购
IC MICROSYSTEMS从Xicor公司，公司
IC MICROSYSTEMS
16K
2
X25160
SPI串行PROM ê与锁座
TM
保护
描述
2K ×8位
特点
2MHz的时钟速率
SPI模式（ 0,0 & 1,1）
2K ×8位
- 32字节页模式
低功耗CMOS
该X25160是CMOS 16384位串行PROM ê ，
内部组织为2K X 8 X25160有
串行外设接口（SPI）和软件协议
允许在一个简单的三线总线操作。公交车
信号是一个时钟输入（SCK） ，独立的数据中（SI）和
数据输出（SO ）线。对设备的访问是CON-
2
- <1
待机电流
- <5毫安工作电流
2.7V至5.5V电源
块锁定保护
2
- 保护1/4，1/2或全部电子商务PROM阵列
内置无意写保护
- 上电/掉电保护电路
- 写使能锁存
通过片选（ CS ）输入控制，它允许任何
器件的数目，以共享相同的总线。
该X25160还拥有两个额外的输入，
提供添加了灵活性终端用户。通过认定
在HOLD输入时， X25160会忽略它的转变
输入，从而使主机优先级更高
中断。于WP输入可以被用作一个硬连线输入到
在X25160禁用所有写尝试的状态
寄存器中，从而提供了一种机制，用于限制终端用户
改变0 ， 1/4，1/2或全部内存的能力。
该X25160采用Xicor公司专有的直接写入细胞，
提供了10万次的最低耐力
和100年的最小数据保持力。
- 写保护引脚
- 自定时写周期
- 5ms的写周期时间（典型）
高可靠性
- 耐力： 100,000次
- 数据保存：100年
- ESD保护： 2000V上的所有引脚
8引脚封装PDlP
-8引脚SOIC封装
-14引脚TSSOP封装
工作原理图
状态
注册
写
保护
逻辑
X解码
逻辑
16
2K字节
ARRAY
16 X 256
SO
SI
SCK
CS
HOLD
命令
解码
和
控制
逻辑
16
16 X 256
32
32 X 256
WP
写
控制
和
定时
逻辑
32
8
解码
数据寄存器
3064 ILL F01
直接写和块锁保护是Xicor公司， Inc.的商标。
Xicor公司，公司1994年， 1995年， 1996年专利待定
3064-3.9 96年6月11日T4 / C1 / D0 NS
1
特性如有变更，恕不另行通知
X25160
操作原理
该X25160是2K ×8 ê
2
PROM设计成连接
直接与同步串行外设接口
许多流行的微控制器家族（ SPI ） 。
该X25160包含一个8位指令寄存器。这是
通过SI输入存取，数据通过时钟在
上升的SCK 。
CS
必须为低电平，并且
HOLD
和
WP
输入数据必须在整个操作过程中高。该
WP
输入的是“不关心” ，如果WPEN设置为“ 0 ” 。
表1包含的指令和一个列表的
操作码。所有指令，地址和数据传输
ferred MSB科幻RST 。
输入数据的采样在SCK后的第一个上升沿
CS
变低。 SCK是静态的，从而允许用户停止
钟，然后恢复运营。如果在时钟线为
与SPI总线上的其它外围设备共享的
用户可将
HOLD
输入到X25160放置到
一个“暂停”状态。释放后，
HOLD ，
该X25160
将恢复工作由点时，
HOLD
是
首先断言。
写使能锁存
该X25160包含了“写使能”锁存器。该锁存器
必须设置一个写操作完成之前，
在内部。 WREN指令将设置锁存器和
WRDI指令将复位锁存器。这是插销
在一个电条件后自动复位
在完成一个字节，页或状态寄存器写入
周期。
状态寄存器
RDSR指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取，
即使在一个写周期。状态寄存器是格式化
泰德如下：
7
6
WPEN X
5
X
4
X
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
WIP
3064 PGM T02
WPEN ， BP0和BP1由WRSR指令集。
WEL和WIP是只读的，并自动设置
其他操作。
写在制品（ WIP ）位指示
X25160正忙于写操作。当设置为“1” ，
一个写入过程中，当设置为“0 ”时，没有写入是在
进展情况。在写入期间，所有其它位被置为“1”。
写使能锁存器（ WEL ）位表示的状态
“写使能”锁存器。当设置为“1”时，锁存器被置位，
当设置为“0”时，锁存器被复位。
块保护（ BP0和BP1 ）位是非易失性的
并允许用户选择一个4的保护级别
化。该X25160分为四个4096位的段。
一个，两个，或四个段的可被保护。
也就是说，用户可以读取的段，但将
无法改变（写）所选择的段中的数据。
分区控制，如下图所示。
状态寄存器位
BP1
BP0
0
0
1
1
0
1
0
1
数组地址
保护
无
$0600–$07FF
$0400–$07FF
$0000–$07FF
3064 PGM T03
表1.指令集
指令名称
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
写
指令格式*
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 0010
手术
将写使能锁存器（允许写操作）
复位写使能锁存器（禁止写操作）
读状态寄存器
写状态寄存器
从存储阵列中读取数据，在开始选择
地址
将数据写入到存储阵列在选定的地址开始
（1至32字节）
3064 PGM T04
*说明显示MSB在最左边的位置。指令传输MSB连接RST 。
3
X25160
操作说明
该X25160通电时处于以下状态：
- 该设备处于低功耗待机状态。
高到低的跳变
CS
需要
进入活动状态并接收指令。
- SO引脚为高阻抗。
- 在“写使能”锁存器复位。
数据保护
下面的电路已被包括在内，以防止
意外写入：
- 在“写使能”锁存器在上电时复位。
- 一个WREN指令必须发出来设置“写
使能“锁存器。
CS
一定要来HIGH在适当的时钟数
命令以启动一个写周期。
图1.阅读电子
2
PROM阵列操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
指令
SI
16位地址
15 14 13
3
2
1
0
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
3064 ILL F03
图2.读状态寄存器操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14
指令
SI
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
3064 ILL F04
5
