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SN75C185
低功耗多驱动器和接收
SLLS065F - 1989年8月 - 修订2000年1月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
符合或超越以下要求
TIA / EIA- 232 -F和ITU建议
V.28
单片机之间采用简单的界面
UART和串行端口连接器
不到9 mW的功耗
广驱动器电源电压。 。 。 4.5 V至
13.2 V
驱动器输出压摆率受限
30 V / μs的最大
接收器输入迟滞。 。 。 1100 mV的典型值
PUSH - PULL接收器输出
在芯片接收器1微秒噪声滤波器
在功能上可与得克萨斯州
仪器SN75185
工作温度高达120 kbit / s的超过3米
电缆(见
应用信息
条件)
DW或N包装
( TOP VIEW )
V
DD
RA1
RA2
RA3
DY1
DY2
RA4
DY3
RA5
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
RY1
RY2
RY3
DA1
DA2
RY4
DA3
RY5
GND
描述
该SN75C185是含有三个独立驱动和五个接收器是一个低功率的设备采用BiMOS
用于连接数据终端设备(DTE)与数据电路端接设备(DCE) 。典型地,该
SN75C185替换一个SN75188和两个SN75189设备。该器件符合TIA / EIA- 232 -F 。该
驱动程序和SN75C185的接收机是类似于SN75C188和SN75C189A的分别。
驱动程序具有被限制为最大30伏/微秒的控制输出压摆率,并且接收器具有
是抑制输入噪声脉冲,比1短过滤器
s.
这两个功能无需外部
组件。
该SN75C185采用低功耗技术,采用BiMOS 。在大多数应用中,包含在该接收器
设备接口到单个输入外围设备,如的ACE , UARTS ,或微处理器。通过使用
取样,这样的外围设备通常是不敏感的输入信号的过渡时间。如果这不是
的情况下,或用于其他用途,那么建议的SN75C185接收器输出由单施密特进行缓冲
输入门或单门的HCMOS , ALS的,或74F逻辑系列。
该SN75C185的特点是操作从0℃至70℃。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2000年,德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
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1
SN75C185
低功耗多驱动器和接收
SLLS065F - 1989年8月 - 修订2000年1月
逻辑符号
RA1
RA2
RA3
DY1
DY2
RA4
DY3
RA5
2
3
4
5
6
7
8
9
19
18
17
16
15
14
13
12
RY1
RY2
RY3
DA1
DA2
RY4
DA3
RY5
逻辑图(正逻辑)
RA1
RA2
RA3
DY1
DY2
RA4
DY3
RA5
RY1
RY2
RY3
DA1
DA2
RY4
DA3
RY5
这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984和
IEC出版617-12 。
2
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SN75C185
低功耗多驱动器和接收
SLLS065F - 1989年8月 - 修订2000年1月
输入和输出的等效电路图
等效驱动器输入
等效驱动器输出
VDD
VDD
输入
DA
国内
1.4 - V REF
到GND
160
74
产量
DY
GND
GND
VSS
72
VSS
等效接收器输入
输入
RA
等效接收器输出
VCC
3.4 k
ESD
保护
ESD
保护
1.5 k
产量
RY
530 k
GND
GND
所有的电阻值是有名无实。
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3
SN75C185
低功耗多驱动器和接收
SLLS065F - 1989年8月 - 修订2000年1月
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.5 V
电源电压,V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . – 13.5 V
电源电压,V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V
输入电压范围,V
I
:驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
到V
DD
接收器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 30 V至30 V
输出电压范围,V
O
:驱动程序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
SS
- 6 V到V
DD
+ 6 V
接收器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
CC
+ 0.3 V
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注2 ) : DW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 ° C / W
N包装, 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69 ° C / W
工作的自由空气的温度范围内,T
A
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
存储温度范围,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注: 1.所有电压都是相对于网络GND 。
2.封装的热阻抗的计算按照JESD 51 。
推荐工作条件
电源电压
VDD
VSS
VCC
DRIVERS
接收机
DRIVERS
接收机
4.5
– 4.5
4.5
VSS + 2
– 25
2
0.8
–1
3.2
12
– 12
5
最大
13.2
– 13.2
6
VDD
25
单位
V
V
V
V
V
V
mA
mA
VI
VIH
VIL
IOH
IOL
输入电压(见注3 )
高电平输入电压
低电平输入电压
高电平输出电流
高电平输出电流
TA
工作自由空气的温度
0
70
°C
注3:代数公约,其中更积极的(少负)限制指定为最大,使用本数据表中的逻辑
水平只,例如,如果 - 10 V是一个最大值,典型值是一个更负的电压。
电源电流
参数
国际直拨电话
国际空间站
ICC
从VDD电源电流
从VSS供电电流
从VCC电源电流
测试条件
无负载,
,
所有输入为2 V或0.8 V
无负载,
,
所有输入为2 V或0.8 V
空载
所有的输入为0或5伏
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VDD = 5V ,
VDD = 12 V ,
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
典型值
115
115
– 115
– 115
最大
200
200
– 200
– 200
750
750
单位
A
A
A
4
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SN75C185
低功耗多驱动器和接收
SLLS065F - 1989年8月 - 修订2000年1月
驱动部分
电气特性在工作自由空气的温度范围内,V
DD
= 12 V, V
SS
= –12 V,
V
CC
= 5 V
±
10% (除非另有说明)
参数
VOH
VOL
IIH
IIL
IOS (H )
IOS (L)的
ro
高电平输出电压
高位
低电平输出电压
g
(见注3 )
高层次的输入电流
低电平输入电流
高水平的短路
g
输出电流(见注4 )
低级别的短路
输出电流(见注4 )
输出电阻
VIL = 0.8 V,
,
见图1
,
VIH = 0.8 V,
见图1
VI = 5 V ,
VI = 0 ,
测试条件
RL = 3 kΩ的,
,
,
RL = 3 kΩ的,
见图2
见图2
–4 5
4.5
4.5
45
300
– 12
12
400
VDD = 5V ,
VDD = 12 V
VDD = 5V ,
VDD = 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
VSS = - 5 V
VSS = - 12 V
4
10
TYP
4.5
10.8
– 4.4
– 10.7
–4
– 10
1
–1
– 19 5
19.5
19.5
19 5
最大
单位
V
V
A
A
mA
mA
VO = 0或VO = VSS ,
VI = 0.8 V,
,
见图1
VI = 2 V ,
,
见图1
VO = 0或VO = VDD ,
VO = - 2 V至2 V ,
VDD = VSS = VCC = 0 ,
见注5
§所有典型值是在TA = 25
°C.
注: 3.代数公约,其中更积极的(少负)限制指定为最大,用在本数据手册逻辑
水平只,例如,如果 - 10 V是一个最大值,典型值是一个更负的电压。
4.不超过一个输出应在同一时间被短路。
5.试验条件是那些由TIA / EIA- 232 -F指定。
开关特性,V
DD
= 12 V, V
SS
= –12 V, V
CC
= 5 V
±
10%, T
A
= 25 ℃(除非另有
说明)(参见图3)
参数
TPLH
的TPH1
tTLH
TTHL
tTLH
TTHL
传播延迟时间,
由低到高层次的输出(见注6 )
传播延迟时间,
高到低级别的输出(见注6 )
过渡时间,由低到高层次的输出
过渡时间,高到低级别的输出
过渡时间,由低到高层次的输出(见注7 )
过渡时间,高到低级别的输出(见注7 )
RL = 3 kΩ至7千欧
k,
CL = 2500 pF的
RL = 3 kΩ至7千欧,
CL = 15 pF的
0.53
0.53
测试条件
典型值
1.2
2.5
2
2
1
1
最大
3
3.5
3.2
3.2
单位
s
s
s
s
s
s
SR
输出压摆率(见注7 )
RL = 3 kΩ至7千欧,
CL = 15 pF的
4
10
30
V / μs的
注:6.的TPH1和tPLH的包括额外的时间,由于芯片上的压摆率,并在50 %的点被测量。
7.测量3 -V和 - 3 -V点的输出波形TIA / EIA- 232 -F的条件) ,所有未使用的输入端连接到高电平
或低。
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