SN74LVC1G17

单施密特触发器缓冲

SCES351N - 2001年6月 - 修订2005年10月

D

可以在德州仪器

D

D

D

D

采用NanoStar 和NanoFree 软件包

支持5 V V

CC

手术

输入接受电压为5.5 V

最大牛逼

pd

4.6 ns的电压为3.3 V

低功耗， 10 μA最大I

CC

D

±24-mA

输出驱动电压为3.3 V

D

I

关闭

支持部分掉电模式

D

D

手术

闭锁性能超过100mA的每

JESD 78 ， II类

ESD保护超过JESD 22

- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）

- 200 -V机型号（ A115 -A ）

- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）

DRL包装

（ TOP VIEW ）

DBV包装

（ TOP VIEW ）

DCK包装

（ TOP VIEW ）

NC

A

GND

1

5

V

CC

NC

A

1

2

3

5

V

CC

NC

A

1

2

3

5

V

CC

Y

2

GND

4

4

Y

GND

4

3

Y

是的，是的， YZA ，或YZP包装

（底视图）

YZV包装

（底视图）

GND

A

DNU

3 4

2

1 5

Y

V

CC

GND

A

2 3

1 4

Y

V

CC

DNU =不使用

请参见机械图纸尺寸。

描述/订购信息

这种单一的施密特触发器缓冲设计为1.65 V至5.5 -VV

CC

操作。

该SN74LVC1G17包含一个缓冲区，并执行布尔函数Y = A的设备作为一个

独立的缓冲器，但由于施密特作用，它可以具有不同的输入阈值电平为正向

(V

T+

）及负向（Ⅴ

T

）信号。

采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了

模具作为包。

这个装置是用我的部分掉电应用完全指定

关闭

。在我

关闭

电路禁止输出，

防止有害的电流回流通过该装置，当它被断电。

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

采用NanoStar和NanoFree是德州仪器的商标。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

2005年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

1

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订购信息

TA

包装

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸起 - YEA

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）

采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YEP

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）

NanoFree - WCSP （ DSBGA ）

0.23毫米大的凸起 - YZV （无铅）

SOT （ SOT - 23 ） - DBV

SOT （ SC - 70 ） - DCK

SOT （ SOT - 553 ） - DRL

3000卷

3000卷

250的卷轴

3000卷

250的卷轴

4000卷

3000卷

SN74LVC1G17YEPR

SN74LVC1G17YZPR

SN74LVC1G17YZVR

SN74LVC1G17DBVR

SN74LVC1G17DBVT

SN74LVC1G17DCKR

SN74LVC1G17DCKT

SN74LVC1G17DRLR

C7_

C7_

C17_

____

C7

订购型号

SN74LVC1G17YEAR

SN74LVC1G17YZAR

_ _ _C7_

顶部端标记

-40 ° C至85°C

包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在

www.ti.com/sc/package 。

DBV / DCK / DRL ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。

YEA / YEP ， YZA / YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个

字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，

=无铅） 。

YZV ：实际的顶部端标记为两行。线1具有四个字符来表示年，月，日，和装配/测试位点。 2号线有两个

这表明家庭和功能码字符。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，

=无铅） 。

功能表

输入

A

H

L

产量

Y

H

L

逻辑图（正逻辑）

（ DBV ， DCK ， DRL ，是的，是的， YZA和YZP包）

A

2

4

Y

逻辑图（正逻辑）

（ YZV包）

A

1

3

Y

2

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达拉斯，德克萨斯州75265

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在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）

电源电压范围，V

CC

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

输入电压范围，V

I

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高阻抗或断电状态下，V

O

（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至6.5 V

电压范围应用于任何输出的高或低状态，V

O

（见注1和2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V

CC

+ 0.5 V

输入钳位电流，I

IK

(V

I

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

输出钳位电流，I

OK

(V

O

＆ LT ; 0）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安

连续输出电流，I

O

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

±50

mA

连续电流通过V

CC

或GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。

±100

mA

封装的热阻抗，

θ

JA

（见注3 ） ： DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W

DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W

DRL包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 142 ° C / W

YEA / YZA包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 154 ° C / W

YEP / YZP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 132 ° C / W

YZV包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 116 ° C / W

存储温度范围，T

英镑

。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注意：如果输入和输出电流额定值，观察1的输入和输出负电压额定值可能被超过。

2. VCC的值在推荐工作条件表中提供。

3.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。

推荐工作条件（见注4 ）

民

操作

VCC

VI

VO

电源电压

输入电压

输出电压

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

IOH

高电平输出电流

VCC = 3 V

VCC = 4.5 V

VCC = 1.65 V

VCC = 2.3 V

IOL

低电平输出电流

VCC = 3 V

VCC = 4.5 V

数据保存时间只有

1.65

1.5

0

0

5.5

VCC

4

8

16

24

32

4

8

16

24

32

mA

mA

最大

5.5

V

V

V

单位

TA

工作自由空气的温度

40

85

°C

注4 ：该设备的所有未使用的输入必须在VCC或GND举行，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，

慢或浮动CMOS输入的影响，

文献编号SCBA004 。

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3

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电气特性在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非

另有说明）

参数

测试条件

VCC

1.65 V

VT +

正向输入

阈值电压

2.3 V

3V

4.5 V

5.5 V

1.65 V

VT-

负向输入

阈值电压

2.3 V

3V

4.5 V

5.5 V

1.65 V

V

T

迟滞

（VT + - VT- ）

IOH = -100

A

IOH = -4毫安

VOH

IOH = -8毫安

IOH = -16毫安

IOH = -24毫安

IOH = -32毫安

IOL = 100

A

IOL = 4毫安

VOL

IOL = 8毫安

IOL = 16毫安

IOL = 24毫安

IOL = 32毫安

II

IOFF

ICC

I

CC

A输入

VI = 5.5 V或GND

VI或VO = 5.5 V

VI = 5.5 V或GND ，

一个输入在VCC - 0.6 V，

IO = 0

在VCC和GND的其他投入

2.3 V

3V

4.5 V

5.5 V

1.65 V至4.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

1.65 V至4.5 V

1.65 V

2.3 V

3V

4.5 V

0至5.5 V

0

1.65 V至5.5 V

3 V至5.5 V

3.3 V

4.5

民

0.76

1.08

1.48

2.19

2.65

0.35

0.56

0.89

1.51

1.88

0.36

0.45

0.51

0.58

0.69

VCC - 0.1

1.2

1.9

2.4

2.3

3.8

0.1

0.45

0.3

0.4

0.55

0.55

±5

±10

10

500

A

A

A

mA

pF

V

V

TYP

最大

1.13

1.56

1.92

2.74

3.33

0.59

0.88

1.2

1.97

2.4

0.64

0.78

0.83

0.93

1.04

V

V

V

单位

Ci

VI = VCC或GND

所有典型值是在VCC = 3.3 V ， TA = 25 ℃。

开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C

L

= 15 pF的

（除非另有说明）（参见图1）

参数

tPD的

从

（输入）

A

TO

（输出）

Y

VCC = 1.8 V

±

0.15 V

民

2.8

最大

9.9

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

1.6

最大

5.5

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

1.5

最大

4.6

VCC = 5 V

±

0.5 V

民

0.9

最大

4.4

ns

单位

4

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开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内，C

L

= 30 pF或者

50 pF（除非另有说明）（参见图2）

参数

tPD的

从

（输入）

A

TO

（输出）

Y

VCC = 1.8 V

±

0.15 V

民

3.8

最大

11

VCC = 2.5 V

±

0.2 V

民

2

最大

6.5

VCC = 3.3 V

±

0.3 V

民

1.8

最大

5.5

VCC = 5 V

±

0.5 V

民

1.2

最大

5

ns

单位

经营特色，T

A

= 25°C

参数

CPD

功率耗散电容

测试条件

F = 10MHz的

VCC = 1.8 V

典型值

20

VCC = 2.5 V

典型值

21

VCC = 3.3 V

典型值

22

VCC = 5 V

典型值

26

单位

pF

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5