数据表
齐纳二极管
RD2.0M到RD47M
齐纳二极管
200 mW的3针Mini- MOLD
描述
类型RD2.0M到RD47M系列是平面型齐纳二极管
处理200毫瓦的允许功耗。
0.4
+0.1
–0.05
包装尺寸
（单位：毫米）
2.8
±
0.2
1.5
0.65
+0.1
–0.15
特点
平面工艺
V
Z
;应用E24标准。
0.95
0.95
应用
电路的，
定电压，定电流，
波形剪，浪涌吸收器等
2.9
±
0.2
2
3
记号
功耗
正向电流
结温
储存温度
反向峰值功率
P
I
F
T
j
T
英镑
P
RSM
200毫瓦
150毫安
150°C
-55到+ 150°C
100 W（ T = 10
s)
1.1至1.4
1 。 NC
2 。阳极： SC- 59 （ EIAJ ）
3 。阴极：K
A
2
0-0.1
0.16
–0.06
K
3
最大额定值（T
A
= 25
°
C)
0.3
1
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证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC为代表的可用性检查
和附加信息。
一号文件D14716EJ6V0DS00 （第6版）
（上一页编号：DC - 2141 ）
发布日期2000年6月 CP （ K）
日本印刷
+0.1
+0.1
1
0.4
–0.05
1995
RD2.0M到RD47M
典型特征（T
A
= 25
°
C)
图。 1个P -T
A
等级
250
P - 功耗 - 毫瓦
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度 -
°C
150
图。 2我
Z
– V
Z
特性（ A至E ）
100 m
10 m
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
0
RD2.0M
RD2.2M
RD2.4M
RD2.7M
RD3.0M
RD3.3M
RD5.6M RD6.2M RD8.2M RD9.1M
100 m
10 m
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
1m
100
10
1
100 n
10 n
RD10M
RD11M RD12M
RD13M
RD3.3M
RD5.1M
RD3.6M
RD4.7M
RD4.3M
RD6.8M RD7.5M
1n
9
10
0
7
8
9
10 11 12 13
V
Z
- 齐纳电压 - V
(b)
14
15
1
2
3
4
5
6
7
V
Z
- 齐纳电压 - V
(a)
8
100 m
10 m
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
11
12
13
RD15M
RD16M RD18M RD20M
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
100 m
10 m
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
RD22M
RD24M RD27M RD30M
14 15 16 17 18
V
Z
- 齐纳电压 - V
(c)
19
20
0 15
20
22
24
25
V
Z
- 齐纳电压 - V
(d)
28
30
4
数据表D14716EJ6V0DS00
RD2.0M到RD47M
100 m
RD32M RD36M
RD43M
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
10 m
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
0 15
30
RD39M
RD47M
35
40
V
Z
- 齐纳电压 - V
(e)
图。 3
γ
Z
- V
Z
特征
1000
图。 4
Z
- I
Z
特征
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
–0.02
–0.04
–0.06
4
%/°C
40
32
24
16
毫伏/°C的
8
0
–8
–16
–24
γ
Z
- V
Z
温度系数 - 毫伏/ C
γ
Z
- V
Z
温度系数 - ％/ C
典型值。
典型值。
Z
Z
- 齐纳阻抗 -
RD5.6M
RD39M
100 RD24M
RD20M
RD2.0M
RD2.4M
RD3.0M
RD3.9M
RD4.7M
RD5.1M
RD15M
10
RD10M
RD7.5M
1
0.1
8 12 16 20 24 28 32 36 40 44
V
Z
- 齐纳电压 - V
1
10
I
Z
- 齐纳电流 - 毫安
100
数据表D14716EJ6V0DS00
5
数据表
齐纳二极管
RD2.0M到RD47M
齐纳二极管
200 mW的3针Mini- MOLD
描述
类型RD2.0M到RD47M系列是平面型齐纳二极管
处理200毫瓦的允许功耗。
0.4
+0.1
–0.05
包装尺寸
（单位：毫米）
2.8
±
0.2
1.5
0.65
+0.1
–0.15
特点
平面工艺
V
Z
;应用E24标准。
0.95
0.95
应用
电路的，
定电压，定电流，
波形剪，浪涌吸收器等
2.9
±
0.2
2
3
记号
功耗
正向电流
结温
储存温度
反向峰值功率
P
I
F
T
j
T
英镑
P
RSM
200毫瓦
150毫安
150°C
-55到+ 150°C
100 W（ T = 10
s)
1.1至1.4
1 。 NC
2 。阳极： SC- 59 （ EIAJ ）
3 。阴极：K
A
2
0-0.1
0.16
–0.06
K
3
最大额定值（T
A
= 25
°
C)
0.3
1
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和附加信息。
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（上一页编号：DC - 2141 ）
发布日期2000年6月 CP （ K）
日本印刷
+0.1
+0.1
1
0.4
–0.05
1995
RD2.0M到RD47M
典型特征（T
A
= 25
°
C)
图。 1个P -T
A
等级
250
P - 功耗 - 毫瓦
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度 -
°C
150
图。 2我
Z
– V
Z
特性（ A至E ）
100 m
10 m
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
0
RD2.0M
RD2.2M
RD2.4M
RD2.7M
RD3.0M
RD3.3M
RD5.6M RD6.2M RD8.2M RD9.1M
100 m
10 m
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
1m
100
10
1
100 n
10 n
RD10M
RD11M RD12M
RD13M
RD3.3M
RD5.1M
RD3.6M
RD4.7M
RD4.3M
RD6.8M RD7.5M
1n
9
10
0
7
8
9
10 11 12 13
V
Z
- 齐纳电压 - V
(b)
14
15
1
2
3
4
5
6
7
V
Z
- 齐纳电压 - V
(a)
8
100 m
10 m
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
11
12
13
RD15M
RD16M RD18M RD20M
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
100 m
10 m
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
RD22M
RD24M RD27M RD30M
14 15 16 17 18
V
Z
- 齐纳电压 - V
(c)
19
20
0 15
20
22
24
25
V
Z
- 齐纳电压 - V
(d)
28
30
4
数据表D14716EJ6V0DS00
RD2.0M到RD47M
100 m
RD32M RD36M
RD43M
I
Z
- 齐纳电流 - 一个
10 m
1m
100
10
1
100 n
10 n
1n
0 15
30
RD39M
RD47M
35
40
V
Z
- 齐纳电压 - V
(e)
图。 3
γ
Z
- V
Z
特征
1000
图。 4
Z
- I
Z
特征
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
–0.02
–0.04
–0.06
4
%/°C
40
32
24
16
毫伏/°C的
8
0
–8
–16
–24
γ
Z
- V
Z
温度系数 - 毫伏/ C
γ
Z
- V
Z
温度系数 - ％/ C
典型值。
典型值。
Z
Z
- 齐纳阻抗 -
RD5.6M
RD39M
100 RD24M
RD20M
RD2.0M
RD2.4M
RD3.0M
RD3.9M
RD4.7M
RD5.1M
RD15M
10
RD10M
RD7.5M
1
0.1
8 12 16 20 24 28 32 36 40 44
V
Z
- 齐纳电压 - V
1
10
I
Z
- 齐纳电流 - 毫安
100
数据表D14716EJ6V0DS00
5
