MX29LV320M H / L
32M - BIT单电压3V ONLY
统一部门快闪记忆体
特点
一般特点
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
系统蒸发散
配置
- 4,194,304 ×8 / 2097152 ×16切换
产业结构
- 64KB （ 32KW ）× 64
扇区保护/撤消芯片
- 提供行业组保护功能，防止亲
受保护的行业组中克或擦除操作
- 提供芯片撤消功能允许代码修改
- 提供临时机构集团解除保护功能
在以前受保护的行业团体代码更改
安全硅行业
- 提供一个128字的OTP区为永久性的， SE-
治愈鉴定
- 可以编程并锁定在工厂或客
Tomer的
闭锁保护250mA的从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于1.5V
兼容JEDEC标准
- 针脚和软件兼容的单电源支持
层闪光
性能
高性能
- 快速存取时间： 70R /为90ns
- 页面读取时间： 25ns的
- 扇区擦除时间： 0.5秒（典型值）。
- 4字/ 8字节的页读取缓冲区
- 16字/ 32字节的写缓冲区：减少编程
时间多字/字节更新
低功耗
- 读操作工作电流： 18毫安（典型值）。
- 主动写电流： 20毫安（典型值）。
- 待机电流的20uA （典型值）。
最少100,000次擦除/编程周期
20年的数据保存
软件特点
支持通用闪存接口（ CFI ）
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统的访问。
程序挂起/恢复计划
- 暂停程序操作来读取其他行业
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据/亲
克其他部门
状态回复
- 数据＃轮询&切换位提供检测的亲
克和擦除操作完成
硬件特性
就绪/忙（ RY / BY ＃ ）输出
- 提供了检测程序的硬件方法
和擦除操作完成
硬件复位（ RESET ＃ ）输入
- 提供了硬件的方法来重置内部
状态机来读取模式
WP ＃ / ACC输入
- 写保护（ WP ＃ ）功能允许保护高
EST或最低的部门，无论部门保护
设置
- ACC （高电压）加速编程时间
系统在更高的吞吐量
包
- 56引脚TSOP
所有无铅器件符合RoHS标准
概述
该MX29LV320M H / L是32兆比特的闪存
组织成8位4M字节或16位的2M字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和
可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29LV320M H / L封装在56引脚TSOP 。这是
旨在重新编程和擦除系统或
标准EPROM编程器。
标准MX29LV320M H / L提供了存取时间为
高速微处理器的速度是70ns的，让操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在MX29LV320M H / L有独立的芯片使能
（ CE ＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
P / N ： PM1136
REV 。 1.1 ，八月11，2005
1
MX29LV320M H / L
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV320M H / L使用命令寄存器管理
此功能。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29LV320M H / L采用的是2.7V至3.6V
VCC电源进行高可靠性和擦除
自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
自动扇区擦除
该MX29LV320M H / L为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动程序
指定的扇区的前向电擦除。该时序
荷兰国际集团和验证电擦除的控制接口
应受该装置内。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV320M H / L
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程
该MX29LV320M H / L为字节/字/页编程
采用自动编程算法。中的自动
MATIC编程算法使得外部系
统不需要有时间按顺序也不验证
数据编程。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似数据＃轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
自动芯片擦除
整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。该
自动擦除算法自动方案
整个阵列之前，电擦除。定时和veri-
电擦除的fication内部控制之内
该设备。
P / N ： PM1136
REV 。 1.1 ，八月11，2005
2
MX29LV128M H / L
128M - BIT单电压3V ONLY
统一部门快闪记忆体
特点
一般特点
单电源工作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作
系统蒸发散
配置
- 16777216 ×8 / 8388608 ×16切换
产业结构
- 64KB （ 32KW ）× 256
扇区保护/撤消芯片
- 提供行业组保护功能，防止
在受保护的部门编程或擦除操作
组
- 提供芯片撤消功能允许代码
变化
- 提供临时机构集团解除保护功能
在以前受保护的行业团体代码更改
安全硅行业
- 提供一个128字的OTP区为永久性的， SE-
治愈鉴定
- 可以编程并锁定在工厂或客
Tomer的
闭锁保护250mA的从-1V到Vcc + 1V
低VCC写入禁止等于或小于1.5V
兼容JEDEC标准
- 针脚和软件兼容的单电源支持
层闪光
性能
高性能
- 快速存取时间： 90R / 100纳秒
- 页面读取时间： 25ns的
- 扇区擦除时间： 0.5秒（典型值）。
- 4字/ 8字节的页读取缓冲区
- 16字/ 32字节的写缓冲区：减少编程
时间多字/字节更新
低功耗
- 读操作工作电流： 18毫安（典型值）。
- 主动写电流： 20毫安（典型值）。
- 待机电流的20uA （典型值）。
最少100,000次擦除/编程周期
20年的数据保存
软件特点
支持通用闪存接口（ CFI ）
- 闪存器件参数存储在设备上，并
提供主机系统的访问。
程序挂起/恢复计划
- 暂停程序操作来读取其他行业
擦除暂停/删除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据/亲
克其他部门
状态回复
- 数据＃轮询&切换位提供检测的亲
克和擦除操作完成
硬件特性
就绪/忙（ RY / BY ＃ ）输出
- 提供了检测程序的硬件方法
和擦除操作完成
硬件复位（ RESET ＃ ）输入
- 提供了硬件的方法来重置内部
状态机来读取模式
WP ＃ / ACC输入
- 写保护（ WP ＃ ）功能允许保护高
EST或最低的部门，无论部门保护
设置
- ACC （高电压）加速编程时间
系统在更高的吞吐量
包
- 56引脚TSOP
所有无铅器件符合RoHS标准
概述
该MX29LV128M H / L是128兆比特的闪存
组织为16M字节的8位或16位的8M字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益和
可靠的读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29LV128M H / L封装在56引脚TSOP 。这是
旨在重新编程和擦除系统或
标准EPROM编程器。
标准MX29LV128M H / L提供了存取时间为
高速微处理器的速度是为90ns ，使操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
化，在MX29LV128M H / L有独立的芯片使能
（ CE ＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
P / N ： PM1134
REV 。 1.1 ，二月08，2006
1
MX29LV128M H / L
在电路中的电擦除和编程。该
MX29LV128M H / L使用命令寄存器管理
此功能。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29LV128M H / L采用的是2.7V至3.6V
VCC电源进行高可靠性和擦除
自动编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
自动扇区擦除
该MX29LV128M H / L为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动程序
指定的扇区的前向电擦除。该时序
荷兰国际集团和验证电擦除的控制接口
应受该装置内。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE＃上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29LV128M H / L
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动编程
该MX29LV128M H / L为字节/字/页编程
采用自动编程算法。中的自动
MATIC编程算法使得外部系
统不需要有时间按顺序也不验证
数据编程。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求用户
只写程序设置命令（其中包括2个非
锁定写周期和A0H ）和程序指令（亲
克数据和地址）。设备会自动倍
编程脉冲的宽度，提供了veri-程序
fication ，并计算序列的数量。一个状态
类似数据＃轮询和状态位切换BE-位
吐温连续读周期，提供反馈
用户以编程操作的状态。
自动芯片擦除
整个芯片采用50毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。该
自动擦除算法自动方案
整个阵列之前，电擦除。定时和veri-
电擦除的fication内部控制之内
该设备。
P / N ： PM1134
REV 。 1.1 ，二月08，2006
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