MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
s
概述
该MBM29LV160T / B是16M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个或1M字8位2M字节的内存
的每个16比特。该MBM29LV160T / B提供了48针TSOP （ I） ， 46引脚SON ， 48引脚南方东英和48球
FBGA封装。该设备被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。
12.0 V V
PP
和5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该装置还可以重新编程
在标准EPROM编程器。
标准MBM29LV160T / B提供了80纳秒到120纳秒访问时间，高速运转使
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29LV160T / B引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也
锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29LV160T / B是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的单元格边距。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和1.0秒验证。 （如果已预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时MBM29LV160T / B被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
comleted ，装置内部复位到读模式。
该MBM29LV160T / B也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式
程序算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后重置为
阅读模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法，该装置自动复位到读
模式和将存储在所述地址位置被编程或擦除的错误数据。这些位置
需要重写复位后。复位装置使系统的微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29LV160T / B内存电擦除内所有的位
通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个部门。该字节/字编程一个字节/字在
时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
3
