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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符C型号页 > 首字符C的型号第348页 > CHT2222TPT
CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
NPN开关晶体管
电压40伏
应用
*电话和proferssional communction设备。
*其他开关应用。
CHT2222TPT
当前0.6安培
特征
*小型表面安装型。 （ SC - 75 / SOT- 416 ）
*高电流（最大= 600毫安） 。
*适用于高封装密度。
*低电压（最大值= 40V ） 。
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
1.0±0.1
0.1
0.3±0.05
(3)
(1)
SC-75/SOT-416
0.1
0.2±0.05
0.5 1.6±0.2
0.5
施工
* NPN开关晶体管
0.1
0.2±0.05
0.8±0.1
(2)
记号
* NT
C
(3)
(1)
B
0.15±0.05
0.1Min.
0.6~0.9
0~0.1
1.6±0.2
电路
E
(2)
单位：毫米
SC-75/SOT-416
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2002-7
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
AMB
≤
25
°C;
注1
分钟。
马克斯。
75
40
6
600
800
200
250
+150
150
+150
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
65
65
额定值特性曲线（ CHT2222TPT ）
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
C
= 0; V
CB
= 60 V ; TJ = 125℃
O
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
357
单位
K / W
分钟。
35
50
75
100
50
40
0.6
300
马克斯。
10
10
10
300
300
1
1.2
2.0
8
25
4
单位
nA
uA
nA
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 0.1毫安; V
CE
= 10V ;注1
I
C
= 1.0毫安; V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10V
I
C
= 150毫安; V
CE
= 1.0V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10V ;环境温度Tamb = -55
O
C 35
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安;我
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安;我
B
= 50毫安
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
BE
= 500 mV的;
F = 1 MHz的
I
C
能力= 20 mA ; V
CE
= 20 V;
F = 100 MHz的
I
C
= 100
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 1 k;
F = 1.0千赫
mV
V
V
V
pF
pF
兆赫
dB
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
I
CON
= 150毫安;我
BON
= 15毫安;
I
B关
=
15
mA
35
15
20
250
200
60
ns
ns
ns
ns
ns
ns
额定值特性曲线（ CHT2222TPT ）
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
500
V
CE
= 5V
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.4
= 10
0.3
400
300
200
25 °C
125 °C
0.2
25 °C
125 °C
100
- 40 °C
0.1
- 40 °C
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
300
1
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
500
V
BE（上）
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
= 10
- 40 °C
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
25 °C
125 °C
0.6
125 °C
0.6
0.4
0.4
1
I
C
10
100
- 集电极电流（毫安）
500
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
25
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
100
10
1
0.1
V
CB
发射器转换和输出
电容VS反向偏置电压
20
电容（pF）
16
12
科特
= 40V
F = 1 MHz的
8
OB
4
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
额定值特性曲线（ CHT2222TPT ）
开启和关闭时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
开关时间
VS集电极电流
400
I
B1
= I
B2
=
320
V CC = 25 V
I
c
10
320
V CC = 25 V
时间（纳秒）
240
160
吨关闭
时间（纳秒）
240
160
80
0
10
tf
td
ts
tr
80
T ON
0
10
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
1000
功耗与
环境温度
1
P
D
- 功耗（ W）
0.75
0.5
0.25
0
0
25
50
75
100
o
温度（℃）
125
150
额定值特性曲线（ CHT2222TPT ）
CHAR 。相对TO值按我
C
= 10毫安
CHAR 。相对将值AT＆T
A
= 25
o
C
共发射极特性
8
V
CE
= 10 V
T
A
= 25
o
C
共发射极特性
2.4
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安
h
re
h
ie
h
fe
h
oe
6
h
oe
4
h
re
2
h
fe
h
ie
0
0
10
20
30
40
50
I
C
- 集电极电流（毫安）
60
0
20
40
60
80
T
A
- 环境温度（
o
C)
100
CHAR 。相对将值在V
CE
= 10V
共发射极特性
1.3
1.25
1.2
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
0
5
h
oe
10
15
20
25
30
V
CE
- 集电极电压（ V）
35
h
re
h
ie
I
C
= 10毫安
T
A
= 25
o
C
h
fe
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