集成电路
数据表
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该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑系列规格
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装信息
该IC06 74HC / HCT / HCU / HCMOS逻辑包装纲要
74HC/HCT595
8位串行输入/串行或并行输出
移位寄存器输出锁存器;
3-state
产品speci fi cation
取代1993年9月数据
在集成电路， IC06文件
1998年6月04
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位串行输入/串行或并行输出移位
寄存器输出锁存器;三态
特点
8位串行输入
8位串行或并行输出
存储寄存器具有三态输出
移位寄存器直接明确
100兆赫（典型值）移出频率
输出能力：
- 并行输出;公交车司机
- 串行输出;标准
I
CC
类别： MSI 。
应用
串行到并行的数据转换
遥控器保持寄存器。
描述
74HC/HCT595
该74HC / HCT595是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
的“ 595 ”是一个8级串行移位寄存器与存储
注册和三态输出。移位寄存器和存储
注册有独立的时钟。
数据被移上的正跳变
SH
CP
输入。在每个寄存器中的数据传送到
在ST的一个正向跳变存储寄存器
CP
输入。如果两个时钟被连接在一起，所述移
寄存器将总是超前于一个时钟脉冲
存储寄存器。
移位寄存器有一个串行输入（D
S
）和串行
标准输出（Q
7
'）进行级联。它也设置有
所有的8位移位寄存器异步复位（低电平有效）
阶段。存储寄存器有8位并行三态总线
驱动器输出。在存贮寄存器中的数据显示在
输出时，输出使能输入（OE）为LOW 。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
典型值。
符号参数
t
PHL
/t
PLH
传播延迟
SH
CP
以Q
7
’
ST
CP
以Q
n
MR到Q
7
’
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W):
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+ ∑
(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=输入MHz的频率
f
o
=输出MHz的频率
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =产出的总和
C
L
在PF =输出负载电容
V
CC
在V =电源电压
2.对于HC的条件为V
I
= GND到V
CC
;对于HCT的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
最大时钟频率SH
CP
， ST
CP
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
HC
C
L
= 15 pF的; V
CC
= 5 V
16
17
14
100
3.5
115
21
20
19
57
3.5
130
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
HCT
单位
1998年6月04
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位串行输入/串行或并行输出移位
寄存器输出锁存器;三态
订购信息
包
类型编号
名字
74HC595N
74HC595D
74HC595DB
74HC595PW
74HCT595N
74HCT595D
钉扎
符号
Q
0
以Q
7
GND
Q
7
’
MR
SH
CP
ST
CP
OE
D
S
V
CC
针
15 ，为1 7
8
9
10
11
12
13
14
16
DIP16
SO16
SSOP16
TSSOP16
DIP16
SO16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万） ;长身
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
74HC/HCT595
VERSION
SOT38-1
SOT109-1
SOT338-1
SOT403-1
SOT38-1
SOT109-1
塑料小外形封装; 16线索;体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;体宽4.4毫米
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万） ;长身
塑料小外形封装; 16线索;体宽3.9毫米
描述
并行数据输出
接地（ 0 V ）
串行数据输出
主复位（低电平有效）
移位寄存器时钟输入
存储寄存器时钟输入
输出使能（低电平有效）
串行数据输入
正电源电压
手册， halfpage
11
12
9
15
1
2
3
4
5
6
7
手册， halfpage
Q1 1
Q2 2
Q3 3
Q4 4
Q5 5
Q6 6
Q7 7
GND 8
MLA001
16 VCC
15 Q0
14 DS
13 OE
SHCP STCP
Q7'
Q0
Q1
Q2
14
DS
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
MR
10
OE
13
MLA002
595
12 STCP
11 SHCP
10 MR
9
Q7'
Fig.1引脚配置。
图2逻辑符号。
1998年6月04
3
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出
锁存器;三态
启示录6 - 2011年12月12日
产品数据表
1.概述
该74HC595 ; 74HCT595是高速硅栅CMOS器件和引脚兼容
低功耗肖特基TTL （ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC595 ; 74HCT595是8级串行移位寄存器与存储寄存器和
三态输出。该寄存器具有独立的时钟。
数据被移位的移位寄存器的时钟输入端（ SHCP ）的正向跳变。
在每个寄存器中的数据传送到存储寄存器上的正向
存储寄存器时钟输入（ STCP ）的过渡。如果两个时钟是连接在一起的，
该移位寄存器将总是一个时钟脉冲超前的存储寄存器的。
移位寄存器有一个串行输入（ DS）和一个串行标准输出（ Q7S ），用于级联。
它也设置有异步复位（低电平有效）所有8个移位寄存器级。该
存储寄存器有8个平行的三态总线驱动器输出。在存贮寄存器中的数据
出现在每当输出使能输入端（OE）为低电平的输出。
2.特点和好处科幻TS
8位串行输入
8位串行或并行输出
存储寄存器具有三态输出
移位寄存器直接明确
100兆赫（典型值）移频出
ESD保护：
HBM JESD22- A114F超过2000伏
MM JESD22 - A115 - A超过200 V
多种封装选择
从指定的
40 C
+85
C
从
40 C
+125
C
3.应用
串行到并行的数据转换
遥控器保持寄存器
恩智浦半导体
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
4.订购信息
表1中。
订购信息
包
温度范围
74HC595N
74HCT595N
74HC595D
74HCT595D
74HC595DB
74HCT595DB
74HC595PW
74HCT595PW
74HC595BQ
74HCT595BQ
40 C
+125
C
DHVQFN16
40 C
+125
C
TSSOP16
40 C
+125
C
SSOP16
40 C
+125
C
SO16
塑料小外形封装; 16线索;
体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 16线索;
体宽5.3毫米
塑料薄小外形封装; 16线索;
体宽4.4毫米
塑料双列直插兼容的热增强型
非常薄四方扁平的封装;没有线索; 16个终端;
机身2.5
3.5
0.85 mm
SOT109-1
SOT338-1
SOT403-1
SOT763-1
40 C
+125
C
名字
DIP16
描述
塑料双列直插式封装; 16引线（ 300万）
VERSION
SOT38-4
类型编号
5.功能图
14 DS
11 SHCP
10 MR
8级移位寄存器
Q7S
12 STCP
9
8位存储寄存器
13 OE
三态输出
Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7
15 1
2
3
4
5
6
7
mna554
图1 。
工作原理图
74HC_HCT595
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产品数据表
启示录6 - 2011年12月12日
2 24
恩智浦半导体
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
13
12
11
12
10
9
15
1
2
3
4
5
6
7
14
1D
11
R
C1/
SRG8
SHCP STCP
Q7S
Q0
Q1
Q2
14
DS
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
MR
10
OE
13
mna552
EN3
C2
2D
3
15
1
2
3
4
5
6
7
9
mna553
图2 。
逻辑符号
图3 。
IEC逻辑符号
0级
DS
D
FF0
CP
SHCP
R
Q
D
STAGES 1-6
Q
7级
D
FF7
CP
R
Q
Q7S
MR
D
Q
D
Q
LATCH
CP
STCP
OE
LATCH
CP
mna555
Q0
Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6
Q7
图4 。
逻辑图
74HC_HCT595
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产品数据表
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3 24
恩智浦半导体
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
6.管脚信息
6.1钢钉
74HC595
74HCT595
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aao241
16 V
CC
15 Q0
14 DS
13 OE
12 STCP
11 SHCP
10 MR
9
Q7S
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
001aao242
74HC595
74HCT595
16 V
CC
15 Q0
14 DS
13 OE
12 STCP
11 SHCP
10 MR
9
Q7S
图5 。
引脚配置DIP16 ， SO16
图6 。
引脚配置SSOP16 ， TSSOP16
74HC595
74HCT595
1号航站楼
索引区
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
2
3
4
5
6
7
8
GND
Q7S
9
GND
(1)
16 V
CC
15 Q0
14 DS
13 OE
12 STCP
11 SHCP
10 MR
Q1
1
001aao243
透明的顶视图
（ 1）这是不是电源引脚，基板使用导电管芯连接材料连接到该垫。没有电或
然而，机械的要求焊垫本，如果它被焊接在焊接区应保持浮动或连接到
GND 。
图7 。
对于DHVQFN16引脚配置
74HC_HCT595
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4 24
恩智浦半导体
74HC595 ; 74HCT595
8位串行输入，串行或并行输出移位寄存器与输出锁存器;
3-state
6.2引脚说明
表2中。
符号
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
Q6
Q7
GND
Q7S
MR
SHCP
STCP
OE
DS
Q0
V
CC
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
描述
并行数据输出1
并行数据输出2
并行数据输出3
并行数据输出4
并行数据输出5
并行数据输出6
并行数据输出7
接地（ 0 V ）
串行数据输出
主复位（低电平有效）
移位寄存器时钟输入
存储寄存器时钟输入
输出使能输入（低电平有效）
串行数据输入
并行数据输出0
电源电压
7.功能描述
表3中。
控制
SHCP STCP OE
X
X
X
X
X
X
L
L
H
L
MR
L
L
L
H
功能表
[1]
输入
DS
X
X
X
H
产量
Q7S
L
L
L
Q6S
Qn
NC
L
Z
NC
在MR低级别只影响移位寄存器
空移位寄存器装入存储寄存器
移位寄存器明确;在高阻抗OFF态并行输出
逻辑高电平移入移位寄存器级都为0。内容
移位寄存器级移位通过，例如阶段6的前一状态
（内部Q6S ）出现在串行输出（ Q7S ） 。
的移位寄存器级的内容（内部QNS ）被转移到
存储寄存器和并行输出级
移位寄存器的内容通过转移;以前的内容
移位寄存器传送到存储器寄存器和并行
输出级
功能
X
L
L
H
H
X
X
NC
Q6S
QNS
QNS
[1]
H =高电压状态;
L =低电压状态;
=低到高的转变;
X =不关心;
NC =无变化;
Z =高阻关断状态。
74HC_HCT595
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5 24
飞利浦半导体
产品speci fi cation
8位串行输入，串行或并行输出移位
寄存器输出锁存器;三态
特点
8位串行输入
8位串行或并行输出
存储寄存器具有三态输出
移位寄存器直接明确
100兆赫（典型值）移频出
ESD保护：
HBM EIA / JESD22 - A114 - A超过2000 V
MM EIA / JESD22 - A115 - A超过200 V.
应用
串行到并行的数据转换
遥控器保持寄存器。
描述
74HC595 ; 74HCT595
该74HC / HCT595是高速硅栅CMOS器件
引脚与低功率肖特基TTL兼容
（ LSTTL ） 。它们与JEDEC规定的遵守
没有标准。 7A 。
该74HC / HCT595是一个8级串行移位寄存器用
存储寄存器和三态输出。移位寄存器和
存储寄存器有独立的时钟。
数据被移上的正跳变
SH_CP输入。在每个寄存器中的数据传送到
上的一个正向跃迁的存储寄存器
ST_CP输入。如果两个时钟被连接在一起，所述
移位寄存器将总是超前于一个时钟脉冲
存储寄存器。
移位寄存器有一个串行输入（ DS）和一个串行
标准输出（ Q7 '）进行级联。它也提供
与异步复位（低电平有效）的所有8位移
注册阶段。存储寄存器有8位并行三态
总线驱动器输出。在存储寄存器数据出现在
每当输出使能输入输出（OE）为LOW 。
快速参考数据
GND = 0 V ;吨
AMB
= 25
°C;
t
r
= t
f
= 6纳秒。
典型
符号
t
PHL
/t
PLH
参数
传播延迟
SH_CP到Q7 “
SH_CP至Qn
MR到Q7 “
f
最大
C
I
C
PD
笔记
1. C
PD
被用于确定所述动态功耗（P
D
in
W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
×
N +
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
）其中：
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
=伏特的供电电压;
N =总负荷开关量输出;
Σ(C
L
×
V
CC2
×
f
o
） =的输出的总和。
2.对于74HC595的条件是V
I
= GND到V
CC
.
为74HCT595的条件为V
I
= GND到V
CC
1.5 V.
2003年6月25
2
最大时钟频率SH_CP和ST_CP
输入电容
每个封装的功率耗散电容
注1和2
条件
74HC
C
L
= 50 pF的; V
CC
= 4.5 V
19
20
100
100
3.5
115
25
24
52
57
3.5
130
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
74HCT
单位
