4N29M ， 4N30M ， 4N32M ， 4N33M ， H11B1M ， TIL113M通用6引脚光电复合光耦
2007年5月
4N29M ， 4N30M ， 4N32M ， 4N33M ， H11B1M ， TIL113M
通用6引脚光电复合光耦
特点
■
高灵敏度，低输入驱动电流
■
符合或超过所有JEDEC注册
tm
描述
该4N29M ， 4N30M ， 4N32M ， 4N33M ， H11B1M和
TIL113M有砷化镓红外线发射器
光学耦合到硅平面光电复合。
特定网络阳离子
■
UL ， C- UL认证
■
VDE 0884认证可以作为一个测试选项
- 添加选项V（例如， 4N29VM ）
应用
■
低功耗逻辑电路
■
电信设备
■
便携式电子产品
■
固态继电器
■
接口不同电位联结系统
和阻抗
套餐
概要
6
1
6
1
阴极2
5收藏家
阳极1
6基地
6
1
N / C 3
4发射器
2007仙童半导体公司
4NXXM ， H11B1M ， TIL113M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
4N29M ， 4N30M ， 4N32M ， 4N33M ， H11B1M ， TIL113M通用6引脚光电复合光耦
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
P
D
I
C
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
连续集电极电流
30
30
5
150
2.0
150
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
mA
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 300μS ， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
80
3
3.0
150
2.0
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度（波）
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
-40到+150
-40至+100
260 ，持续10秒
250
3.3
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
参数
价值
单位
2007仙童半导体公司
4NXXM ， H11B1M ， TIL113M版本1.0.0
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2
4N29M ， 4N30M ， 4N32M ， 4N33M ， H11B1M ， TIL113M通用6引脚光电复合光耦
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
输入正向电压*
I
F
= 10毫安
4NXXM
H11B1M,
TIL113M
I
R
反向漏电流*
V
R
= 3.0V
V
R
= 6.0V
C
BV
首席执行官
电容*
V
F
= 0V ， F = 1.0MHz的
4NXXM
H11B1M,
TIL113M
所有
4NXXM,
TIL113M
H11B1M
BV
CBO
BV
ECO
集电极 - 基极击穿电压*
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
所有
4NXXM
H11B1M,
TIL113M
I
首席执行官
集电极 - 发射极暗电流*
V
CE
= 10V ，基地开放
所有
发射极 - 集电极击穿电压* I
E
= 100μA ，我
B
= 0
30
25
30
5.0
7
0.8
1.2
1.2
0.001
0.001
150
60
60
100
10
10
1
100
nA
V
V
1.5
1.5
100
10
pF
V
A
V
参数
测试条件
设备
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
探测器
集电极 - 发射极击穿电压* I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
传输特性
符号
I
C（ CTR ）
参数
集电极输出电流*
(1, 2)
测试条件
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V,
I
B
= 0
设备
4N32M,
4N33M
4N29M,
4N30M
分钟。
50 (500)
10 (100)
5 (500)
30 (300)
典型值。
马克斯。
单位
MA（ ％ ）
DC特性
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
I
F
= 10毫安，V
CE
= 1V
V
CE （ SAT ）
饱和电压*
(2)
H11B1M
TIL113M
4NXXM
TIL113M
H11B1M
4NXXM,
TIL113M
H11B1M
4N32M,
4N33M,
TIL113M
4N29M,
4N30M
I
F
= 8毫安，我
C
= 2.0毫安
I
F
= 1mA时，我
C
= 1毫安
1.0
1.25
1.0
5.0
25
100
V
AC特性
t
on
开启时间
I
F
=的200mA，我
C
= 50mA时
V
CC
= 10V ，R
L
= 100
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V,
R
L
= 100
t
关闭
打开-O FF时间
I
F
=的200mA，我
C
= 50mA时
V
CC
= 10V ，R
L
= 100
S
S
40
18
30
千赫
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V,
R
L
= 100
BW
带宽
(3, 4)
H11B1M
2007仙童半导体公司
4NXXM ， H11B1M ， TIL113M版本1.0.0
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3
4N29M ， 4N30M ， 4N32M ， 4N33M ， H11B1M ， TIL113M通用6引脚光电复合光耦
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编） （续）
隔离特性
符号
V
ISO
特征
测试条件
设备
所有
4N32M*
4N33M*
所有
所有
分钟。
7500
2500
1500
10
11
典型值。
马克斯。
单位
VAC （峰值）
V
输入输出隔离电压
(5)
I
我-O
≤
1μA ， Vrms的， T = 1秒。
VDC
VDC
绝缘电阻
(5)
隔离电容
(5)
V
我-O
= 500V直流
V
我-O
= O，F = 1MHz的
R
ISO
C
ISO
0.8
pF
注意事项：
*表示JEDEC注册的数据。
1.电流传输比（I
C
/I
F
）是给LED的输入电流检测集电极电流的比率。
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0% .
3. I
F
调整到我
C
= 2.0毫安我
C
= 0.7毫安有效值。
4.频率在我
C
为3dB从1kHz的价值下降。
5.对于该测试，LED引脚1和2是常见的，并且光电晶体管引脚4 ， 5和6是常见的。
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4
4N29M ， 4N30M ， 4N32M ， 4N33M ， H11B1M ， TIL113M通用6引脚光电复合光耦
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
1.8
1.6
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25°C
归一
I
F
= 10毫安
图。 2归CTR与正向电流
1.7
1.4
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.2
1.5
归一化CTR
1.0
1.4
T
A
= -55°C
0.8
1.3
T
A
= 25°C
1.2
T
A
= 100°C
1.1
0.6
0.4
0.2
1.0
1
10
100
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3归CTR与环境温度
1.4
1.0
图。 4 CTR与RBE （不饱和）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
I
F
= 20毫安
1.2
I
F
= 5毫安
归一化CTR
1.0
I
F
= 10毫安
0.8
0.6
I
F
= 20毫安
0.4
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
10
100
1000
T
A
- 环境温度（ ° C）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 5 CTR与RBE （饱和）
1.0
100
图。 6集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
V
CE
= 0.3 V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
T
A
= 25C
10
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
0.001
0.01
0.1
1
10
R
BE
- 基极电阻（K
)
I
C
- 集电极电流（毫安）
2007仙童半导体公司
4NXXM ， H11B1M ， TIL113M版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
5
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33通用6引脚光电复合光耦
2007年4月
4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33
通用6引脚光电复合光耦
特点
■
高灵敏度，低输入驱动电流
■
符合或超过所有JEDEC注册
tm
描述
该4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33有镓
砷化红外发射器光学耦合到硅
平面光电复合。
特定网络阳离子
■
VDE 0884认证可以作为一个测试选项
- 添加选项.300 。 （例如， 4N29.300 ）
应用
■
低功耗逻辑电路
■
电信设备
■
便携式电子产品
■
固态继电器
■
接口不同电位联结系统
和阻抗
套餐
白色包装（ -M后缀）
概要
6
1
6
1
阳极1
6基地
阴极2
6
1
5收藏家
N / C 3
4发射器
BLACK PACKAGE （ NO -M后缀）
6
1
6
1
6
1
2006仙童半导体公司
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33通用6引脚光电复合光耦
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
设备总
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
D
辐射源
I
F
V
R
I
F
（ PK）
P
D
探测器
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
P
D
I
C
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
探测器功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
连续集电极电流
所有
所有
所有
所有
所有
30
30
5
150
2.0
150
V
V
V
mW
毫瓦/°C的
mA
连续正向电流
反向电压
正向电流 - 峰值（ 300μS ， 2 ％占空比）
LED功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
所有
所有
所有
所有
80
3
3.0
150
2.0
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
储存温度
工作温度
无铅焊锡温度
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
非M3
M
非M3
M
所有
所有
-55到+150
-40到+150
-55到+100
-40至+100
260 ，持续10秒
250
3.3
°C
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
参数
设备
价值
单位
2006仙童半导体公司
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
2
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33通用6引脚光电复合光耦
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
参数
辐射源
V
F
I
R
C
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
ECO
I
首席执行官
h
FE
输入正向电压*
反向漏电流*
电容*
I
F
= 10毫安
V
R
= 3.0V
V
F
= 0V ， F = 1.0MHz的
–
–
–
30
30
5.0
–
–
1.2
0.001
150
60
100
8
1
5000
1.5
100
–
–
–
–
100
–
V
A
pF
V
V
V
nA
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
探测器
集电极 - 发射极击穿电压* I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压*
集电极 - 发射极暗电流*
直流电流增益
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，基地开放
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 500A
发射极 - 集电极击穿电压* I
E
= 100μA ，我
B
= 0
传输特性
符号
参数
DC特性
I
C（ CTR ）
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极输出电流*
(1, 2)
I
F
= 10毫安，V
CE
= 10V ，我
B
= 0
4N32, 4N33
4N29, 4N30
4N31
50 (500)
10 (100)
5 (50)
I
F
= 8毫安，我
C
= 2.0毫安
–
–
I
F
=的200mA，我
C
= 50mA时
V
CC
= 10V
I
F
=的200mA，我
C
= 50mA时
V
CC
= 10V
–
–
–
–
1.0
1.2
5.0
S
V
–
–
–
–
–
–
MA（ ％ ）
V
CE （ SAT ）
饱和电压*
(2)
4N29, 4N30, 4N32, 4N33
4N31
AC特性
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
4N32, 4N33
4N29, 4N30, 4N31
BW
带宽
(3, 4)
–
–
–
–
–
30
100
40
–
S
千赫
隔离特性
符号
V
ISO
特征
输入输出隔离电压
(5)
4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33
4N32*
4N33*
测试条件
I
我-O
≤
1μA ， Vrms的，T = 1分。
VDC
VDC
分钟。
5300
2500
1500
–
–
典型值。
–
–
–
10
11
0.8
马克斯。
–
–
–
–
–
单位
VAC （ RMS）
V
pF
R
ISO
C
ISO
隔离
隔离
阻力
(5)
电容
(5)
V
我-O
= 500V直流
V
我-O
= O，F = 1MHz的
注意事项：
*表示JEDEC注册的数据。
1.电流传输比（I
C
/I
F
）是检测器的集电极电流给LED的输入电流与V中的比率
CE
@ 10V.
2.脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0% .
4. I
F
调整到我
C
= 2.0毫安我
C
= 0.7毫安有效值。
5.频率在我
C
为3dB从1kHz的价值下降。
6.对于这个测试， LED引脚1和2是常见的，并且光电晶体管的引脚4 ， 5和6是常见的。
2006仙童半导体公司
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33版本1.0.1
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3
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33通用6引脚光电复合光耦
典型性能曲线
图。 1 LED的正向电压与正向电流
（黑色包装）
1.8
1.8
图。 2 LED的正向电压与正向电流
（白包）
1.7
1.7
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
V
F
- 正向电压（ V）
1.6
1.5
1.5
1.4
T
A
= -55°C
1.3
T
A
= 25°C
1.4
T
A
= -55°C
1.3
T
A
= 25°C
1.2
T
A
= 100°C
1.2
1.1
T
A
= 100°C
1.1
1.0
1
10
100
1.0
1
10
100
I
F
- LED正向电流（mA ）
I
F
- LED正向电流（mA ）
图3归CTR与正向电流
（黑色包装）
1.4
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25°C
1.2
归一
I
F
= 10毫安
1.6
图4归CTR与正向电流
（白包）
V
CE
= 5.0V
T
A
= 25°C
归一
I
F
= 10毫安
1.4
1.2
1.0
归一化CTR
归一化CTR
0
5
10
15
20
1.0
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0.0
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 5归CTR与环境温度
（黑色包装）
1.6
1.4
图。 6归CTR与环境温度
（白包）
1.4
I
F
= 5毫安
1.2
I
F
= 5毫安
归一化CTR
1.2
I
F
= 10毫安
1.0
归一化CTR
1.0
I
F
= 10毫安
0.8
0.8
0.6
I
F
= 20毫安
0.6
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
0.4
I
F
= 20毫安
归一
I
F
= 10毫安
T
A
= 25°C
0.4
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.2
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
T
A
- 环境温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
2006仙童半导体公司
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33版本1.0.1
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4
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33通用6引脚光电复合光耦
典型性能曲线
（续）
图。 7 CTR与RBE （不饱和）
（黑色包装）
1.0
1.0
图。 8 CTR与RBE （不饱和）
（白包）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
I
F
= 10毫安
0.7
I
F
= 5毫安
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 5.0 V
0.1
0.0
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
0.8
I
F
= 20毫安
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5.0 V
I
F
= 20毫安
10
100
1000
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
R
BE
- 基极电阻值（kΩ ）
图。 9 CTR与RBE （饱和）
（黑色包装）
1.0
1.0
图。 10 CTR与RBE （饱和）
（白包）
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
归一化的点击率（ CTR
RBE
/ CTR
RBE （ OPEN ）
)
0.9
V
CE
= 0.3 V
0.8
I
F
= 20毫安
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
0.9
V
CE
= 0.3 V
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
10
100
1000
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
R
BE
- 基极电阻（K
)
R
BE
- 基极电阻（K
)
图。 11集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
（黑色包装）
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
100
图。 12集电极 - 发射极饱和电压与集电极电流
（白包）
V
CE （SAT）
- 集电极 - 发射极饱和电压（ V）
100
T
A
= 25C
10
10
1
1
I
F
= 2.5毫安
0.1
I
F
= 2.5毫安
0.1
0.01
I
F
= 10毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 20毫安
0.01
I
F
= 5毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
T
A
= 25C
0.1
1
10
0.001
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
C
- 集电极电流（毫安）
2006仙童半导体公司
4N29 ， 4N30 ， 4N31 ， 4N32 ， 4N33版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
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