随着系统尺寸的持续变小，降低功率损耗和改进散热这两个关键因素变得至关重要。

一系列2分频扬声器模块，以加速利用xMEMS固态MEMS微型扬声器技术的下一代高分辨率和无损音频TWS耳机的设计。

这些模块集成了由Bujeon定制设计的重低音、高性能9毫米动态驱动低音扬声器、xMEMS的Cowell高音扬声器、世界上最小的单片MEMS 微型扬声器（仅22mm3）和xMEMS的Aptos MEMS扬声器放大器，以创建与当今领先的TWS片上系统兼容的“插入式”扬声器解决方案。

与当前市面上领先的PQFN 3.3x3.3mm²漏极底置封装的器件相比，新产品系列的导通电阻（RDS(on)）大幅降低了25%。

此外，该封装内部在芯片顶部还有一个改进的漏极铜夹片设计，实现了市场领先的芯片/封装面积比。

双面散热、PQFN封装、OptiMOS™源极底置功率MOSFET可提供一个增强的热界面，将功率损耗从开关器件传导至散热器。双面散热的结构能够以最直接的方式将功率开关连接至散热器，其功耗能力与底部散热、源极底置功率MOSFET相比提高了三倍。

MOSFET产品技术和领先的封装技术,将系统性能提升至新的水平。在源极底置（SD）封装内部,MOSFET晶圆的源极触点被翻转、并朝向封装的足底一侧，然后焊接到PCB上。

板卡支持多种差分模式，包括RTK、DGNSS、SBAS和“中国精度”，可满足米级、厘米级及至毫米级等各种定位精度需求。

与单驱动器TWS耳机相比，Cowell卓越的高频响应可实现更宽的声场，为语音、人声和乐器提供更高水平的清晰度和存在感，使低音扬声器能够专注于深沉低音响应和主动降噪所需的低频能量。

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