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主电源中控制器IC兼容从而有助于替换现有的硅(超级结)MOSFET

发布时间:2024/4/23 22:22:58 访问次数:37

ROHM的宽驱动电压范围(2.5V至30V)等功能可与主电源中的几乎所有控制器IC兼容,从而有助于替换现有的硅(超级结)MOSFET。

虽然GaN HEMT有望显着促进小型化和提高功率转换效率,但与硅MOSFET相比,栅极驱动的难度较大,需要使用专用的栅极驱动器。 

除此之外,BM3G0xxMUV-LB系列(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)还集成了额外的功能和外围组件,旨在最大限度地提高GaN HEMT性能以及650V GaN HEMT(下一代功率器件)。 

NSOPA8xxx产品系列提供了沿带宽1.5M/5M/10M及1/2/4通道组合的多种产品型号选择,每种型号均有工规与车规两个版本,以满足不同市场客户的多样化需求。产品命名规则清晰明了,方便客户快速识别与选择。

其中,OPA代表其功能“运算放大器”,第一个数字8代表低压5.5V,中间的两位数字代表带宽,末尾数字代表其通道数,例如NSOPA8012,意为5.5V耐压1.5M带宽2通道运算放大器,以便让客户能简单识别其作用、带宽及通道数。

LED亮度高、体积小,是需要在恶劣环境下可靠工作的小型高功率产品的完美选择。

典型应用包括医用光疗;农业设备和能源发电系统信号灯;办公、娱乐和通信设备指示灯和背光;LCD开关和通用指示牌。

LED符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,采用8 mm卷带包装,ESD耐压高达2 kV,满足JESD22-A114-B要求,根据JEDEC Level 2a进行预处理,适合J-STD-020红外回流焊工艺和自动拾放贴片机加工。

深圳市金泽顺电子有限公司http://jzs.51dzw.com

ROHM的宽驱动电压范围(2.5V至30V)等功能可与主电源中的几乎所有控制器IC兼容,从而有助于替换现有的硅(超级结)MOSFET。

虽然GaN HEMT有望显着促进小型化和提高功率转换效率,但与硅MOSFET相比,栅极驱动的难度较大,需要使用专用的栅极驱动器。 

除此之外,BM3G0xxMUV-LB系列(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)还集成了额外的功能和外围组件,旨在最大限度地提高GaN HEMT性能以及650V GaN HEMT(下一代功率器件)。 

NSOPA8xxx产品系列提供了沿带宽1.5M/5M/10M及1/2/4通道组合的多种产品型号选择,每种型号均有工规与车规两个版本,以满足不同市场客户的多样化需求。产品命名规则清晰明了,方便客户快速识别与选择。

其中,OPA代表其功能“运算放大器”,第一个数字8代表低压5.5V,中间的两位数字代表带宽,末尾数字代表其通道数,例如NSOPA8012,意为5.5V耐压1.5M带宽2通道运算放大器,以便让客户能简单识别其作用、带宽及通道数。

LED亮度高、体积小,是需要在恶劣环境下可靠工作的小型高功率产品的完美选择。

典型应用包括医用光疗;农业设备和能源发电系统信号灯;办公、娱乐和通信设备指示灯和背光;LCD开关和通用指示牌。

LED符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,采用8 mm卷带包装,ESD耐压高达2 kV,满足JESD22-A114-B要求,根据JEDEC Level 2a进行预处理,适合J-STD-020红外回流焊工艺和自动拾放贴片机加工。

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