BMR314高达97.4%峰值效率及针对冷壁冷却优化薄型封装设计
发布时间:2024/4/10 23:36:41 访问次数:45
BMR314使用由Flex Power Modules与领先的半导体制造商Onsemi联合开发的控制器，面向为AI和数据通信中心的负载点（PoL）转换器供电等应用。
这类应用场景中可能会出现高峰值负载，而且空间极为有限，节能十分重要。
得益于BMR314高达97.4%的峰值效率以及针对冷壁冷却优化的薄型封装设计，这一切得以实现。BMR314提供高达70A的输出电流，而且具有针对过温、输入欠压以及输出过流、过压和短路的全面保护。
新产品实现了纳秒（ns）量级的栅极驱动速度，从而使GaN器件可实现高速开关。
zeta电位纳米粒度分析仪——DynaPro™ ZetaStar™。这款新仪器支持用户在一台设备上同时完成动静态光散射以及电泳光散射(DLS/SLS/ELS)的测量。
M4N组是TXZ+™族高级产品的新成员，采用40nm工艺制造。
M4N组集成带FPU的Arm Cortex-M4内核，运行速度高达200MHz，最高可集成2MB代码闪存和32KB数据闪存，具有10万次的写入周期寿命。
新款微控制器还提供了丰富的接口与通信选项，例如以太网、CAN以及带集成PHY的USB 2.0 FS OTG控制器。
M4N组器件适用于办公设备、楼宇和工厂自动化以及工业网络与信息管理设备。
耦合电感器的用途非常广泛，适用于单、双相升降压转换器（特别适用于将48V转12V的交错式电压转换器）。产品通过两线圈耦合设计，减小了纹波电流，提高了转换效率。相比采用两个独立的电感器的设计，ERUC23系列耦合电感器能显著减少占板空间。
深圳市维基鸿电子有限公司http://wjydz03.51dzw.com
BMR314使用由Flex Power Modules与领先的半导体制造商Onsemi联合开发的控制器，面向为AI和数据通信中心的负载点（PoL）转换器供电等应用。
这类应用场景中可能会出现高峰值负载，而且空间极为有限，节能十分重要。
得益于BMR314高达97.4%的峰值效率以及针对冷壁冷却优化的薄型封装设计，这一切得以实现。BMR314提供高达70A的输出电流，而且具有针对过温、输入欠压以及输出过流、过压和短路的全面保护。
新产品实现了纳秒（ns）量级的栅极驱动速度，从而使GaN器件可实现高速开关。
zeta电位纳米粒度分析仪——DynaPro™ ZetaStar™。这款新仪器支持用户在一台设备上同时完成动静态光散射以及电泳光散射(DLS/SLS/ELS)的测量。
M4N组是TXZ+™族高级产品的新成员，采用40nm工艺制造。
M4N组集成带FPU的Arm Cortex-M4内核，运行速度高达200MHz，最高可集成2MB代码闪存和32KB数据闪存，具有10万次的写入周期寿命。
新款微控制器还提供了丰富的接口与通信选项，例如以太网、CAN以及带集成PHY的USB 2.0 FS OTG控制器。
M4N组器件适用于办公设备、楼宇和工厂自动化以及工业网络与信息管理设备。
耦合电感器的用途非常广泛，适用于单、双相升降压转换器（特别适用于将48V转12V的交错式电压转换器）。产品通过两线圈耦合设计，减小了纹波电流，提高了转换效率。相比采用两个独立的电感器的设计，ERUC23系列耦合电感器能显著减少占板空间。
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