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低延时电机响应对机器人等需要精密电机控制应用而言至关重要

发布时间:2024/3/30 13:06:35 访问次数:45

与硅器件相比,GaN器件具有更优越的特性,包括更高的开关速度、更低的漏源导通电阻(RDS(ON))和更好的热性能。

较快的开关速度支持低延时电机响应,这对于机器人等需要精密电机控制的应用而言至关重要。

GaN FET还可用于开发功率更大、效率更高的叉车电机驱动器。GaN FET具有更高的电流处理能力,因此可用于更大、功率更高的电机。

曲线说明:紫色的电容值最大,红色的电容值次之,粉色的电容值最小。

实际安装后的电容不是理想电容,除了ESR,ESL,还有安装电感,所以就存在一个串联谐振频率。电容在串联谐振频率之前呈容性,之后呈感性。

电容值越大,谐振频率越小,电容在较低频率就会呈现感性,这样会造成信号高频分量衰减增大,同样会使眼高减小,上升沿变缓,jitter增加。

选择AC耦合电容时要综合以上两点考量,一般业界都推荐0.01uF~0.2uF,最常见的就是0.1uF的电容。对于电容封装的选择不建议使用大于0603的封装,最好是0402的,或者更小。

由于放大器有源电路的影响,低噪声放大器会产生一些噪声,噪声系数就是表征放大器产生的噪声。根据噪声系数的Friis公式,第一级放大的噪声系数F1确定了整个接收机的最小噪声系数。

工程师通过优化LNA的噪声系数、增益和线性度来提升接收机的灵敏度,从而实现所需的信号质量和覆盖范围。

8V97003是高性能mmWave宽带合成器/锁相环(PLL),能从集成的压控振荡器(VCO)产生高达18GHz的输出频率,提供倍频程的频率调谐范围.

B0512S-1WR3

与硅器件相比,GaN器件具有更优越的特性,包括更高的开关速度、更低的漏源导通电阻(RDS(ON))和更好的热性能。

较快的开关速度支持低延时电机响应,这对于机器人等需要精密电机控制的应用而言至关重要。

GaN FET还可用于开发功率更大、效率更高的叉车电机驱动器。GaN FET具有更高的电流处理能力,因此可用于更大、功率更高的电机。

曲线说明:紫色的电容值最大,红色的电容值次之,粉色的电容值最小。

实际安装后的电容不是理想电容,除了ESR,ESL,还有安装电感,所以就存在一个串联谐振频率。电容在串联谐振频率之前呈容性,之后呈感性。

电容值越大,谐振频率越小,电容在较低频率就会呈现感性,这样会造成信号高频分量衰减增大,同样会使眼高减小,上升沿变缓,jitter增加。

选择AC耦合电容时要综合以上两点考量,一般业界都推荐0.01uF~0.2uF,最常见的就是0.1uF的电容。对于电容封装的选择不建议使用大于0603的封装,最好是0402的,或者更小。

由于放大器有源电路的影响,低噪声放大器会产生一些噪声,噪声系数就是表征放大器产生的噪声。根据噪声系数的Friis公式,第一级放大的噪声系数F1确定了整个接收机的最小噪声系数。

工程师通过优化LNA的噪声系数、增益和线性度来提升接收机的灵敏度,从而实现所需的信号质量和覆盖范围。

8V97003是高性能mmWave宽带合成器/锁相环(PLL),能从集成的压控振荡器(VCO)产生高达18GHz的输出频率,提供倍频程的频率调谐范围.

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