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导通电阻与栅极电荷乘积更低评价功率转换应用中优值系数

发布时间:2023/7/17 13:25:32 访问次数:50

定位追踪设备,可带来基于手势控制器的虚拟现实体验。Nod目前仍在开发中,希望可以解决消费级虚拟现实动作控制所面临的问题,提供拥有完全动作追踪和基于手势控制的便携式虚拟现实解决方案。

在虚拟现实动作控制领域都有自己的研发成果,目前正在开发深度传感技术,可提供无线定位追踪,让用户可以自由移动并使用手势操作,系统会把数据转化成虚拟环境中的可见行为。

镍镉电池可重复500次以上的充放电,经济耐用。其内部抵制力小,既内阻很小,可快速充电,又可为负载提供大电流,而且放电时电压变化很小,是一种非常理想的直流供电电池。

与无引线DFN封装的MOSFET相比,在整机设备的使用寿命内碰到温度循环情况时,PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造,在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω,栅极电荷低至17nC,导通电阻与栅极电荷乘积更低,该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。

在功率因数校正、反激、双管正激转换器,以及HID和LED照明、工业、电信、消费和计算类应用的电源适配器等硬开关拓扑中,这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗,有效节约能源。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E基于公司的E系列超结技术,具有低至0.52Ω(@10V)的最大导通电阻、低至17nC的超低栅极电荷和适于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)。

这些数值会转换成低传导和开关损耗,从而为功率因数校正、反激式与双开关正激转换器和面向HID与LED照明和工业、电信、消费类与计算电源适配器的硬开关拓扑节约能量。

通过信号线供电,无需额外电源,0-10V调光器后盖上有清晰的接线标识,接线方式,只需将调光旋钮接在0-10v调光驱动的信号端,无需外接额外电源。


定位追踪设备,可带来基于手势控制器的虚拟现实体验。Nod目前仍在开发中,希望可以解决消费级虚拟现实动作控制所面临的问题,提供拥有完全动作追踪和基于手势控制的便携式虚拟现实解决方案。

在虚拟现实动作控制领域都有自己的研发成果,目前正在开发深度传感技术,可提供无线定位追踪,让用户可以自由移动并使用手势操作,系统会把数据转化成虚拟环境中的可见行为。

镍镉电池可重复500次以上的充放电,经济耐用。其内部抵制力小,既内阻很小,可快速充电,又可为负载提供大电流,而且放电时电压变化很小,是一种非常理想的直流供电电池。

与无引线DFN封装的MOSFET相比,在整机设备的使用寿命内碰到温度循环情况时,PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造,在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω,栅极电荷低至17nC,导通电阻与栅极电荷乘积更低,该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。

在功率因数校正、反激、双管正激转换器,以及HID和LED照明、工业、电信、消费和计算类应用的电源适配器等硬开关拓扑中,这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗,有效节约能源。

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E基于公司的E系列超结技术,具有低至0.52Ω(@10V)的最大导通电阻、低至17nC的超低栅极电荷和适于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)。

这些数值会转换成低传导和开关损耗,从而为功率因数校正、反激式与双开关正激转换器和面向HID与LED照明和工业、电信、消费类与计算电源适配器的硬开关拓扑节约能量。

通过信号线供电,无需额外电源,0-10V调光器后盖上有清晰的接线标识,接线方式,只需将调光旋钮接在0-10v调光驱动的信号端,无需外接额外电源。


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