品牌：Infineon(英飞凌) 封装：SOT-23 描述：漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：1.6A 功率(Pd)：1.3W 类型：N沟道 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：220mΩ@10V,1.6A N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V
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参数名称参数值是否无铅
不含铅是否Rohs认证
符合生命周期TransferredObjectid1791022481零件包装代码SOT-23包装说明ROHSCOMPLIANT,MICRO-3针数3ReachComplianceCodecompliantECCN代码EAR99风险等级2.59配置SINGLEWITHBUILT-INDIODE最小漏源击穿电压100V最大漏极电流(ID)1.6A最大漏源导通电阻0.22ΩFET技术METAL-OXIDESEMICONDUCTORJEDEC-95代码TO-236ABJESD-30代码R-PDSO-G3JESD-609代码e3湿度敏感等级1元件数量1端子数量3工作模式ENHANCEMENTMODE最高工作温度150°C封装主体材料PLASTIC/EPOXY封装形状RECTANGULAR封装形式SMALLOUTLINE峰值回流温度（摄氏度）260极性/信道类型N-CHANNEL最大功率耗散(Abs)1.3W最大脉冲漏极电流(IDM)7A认证状态NotQualified表面贴装YES端子面层MatteTin(Sn)端子形式GULLWING端子位置DUAL处于峰值回流温度下的最长时间30晶体管应用SWITCHING晶体管元件材料SILICON
参数名称参数值是否无铅不含铅是否Rohs认证符合生命周期TransferredObjectid1791022481零件包装代码SOT-23包装说明ROHSCOMPLIANT,MICRO-3针数3ReachComplianceCodecompliantECCN代码EAR99风险等级2.59配置SINGLEWITHBUILT-INDIODE最小漏源击穿电压100V最大漏极电流(ID)1.6A最大漏源导通电阻0.22ΩFET技术METAL-OXIDESEMICONDUCTORJEDEC-95代码TO-236ABJESD-30代码R-PDSO-G3JESD-609代码e3湿度敏感等级1元件数量1端子数量3工作模式ENHANCEMENTMODE最高工作温度150°C封装主体材料PLASTIC/EPOXY封装形状RECTANGULAR封装形式SMALLOUTLINE峰值回流温度（摄氏度）260极性/信道类型N-CHANNEL最大功率耗散(Abs)1.3W最大脉冲漏极电流(IDM)7A认证状态NotQualified表面贴装YES端子面层MatteTin(Sn)端子形式GULLWING端子位置DUAL处于峰值回流温度下的最长时间30晶体管应用SWITCHING晶体管元件材料SILICON
参数名称参数值是否无铅不含铅是否Rohs认证符合生命周期TransferredObjectid1791022481零件包装代码SOT-23包装说明ROHSCOMPLIANT,MICRO-3针数3ReachComplianceCodecompliantECCN代码EAR99风险等级2.59配置SINGLEWITHBUILT-INDIODE最小漏源击穿电压100V最大漏极电流(ID)1.6A最大漏源导通电阻0.22ΩFET技术METAL-OXIDESEMICONDUCTORJEDEC-95代码TO-236ABJESD-30代码R-PDSO-G3JESD-609代码e3湿度敏感等级1元件数量1端子数量3工作模式ENHANCEMENTMODE最高工作温度150°C封装主体材料PLASTIC/EPOXY封装形状RECTANGULAR封装形式SMALLOUTLINE峰值回流温度（摄氏度）260极性/信道类型N-CHANNEL最大功率耗散(Abs)1.3W最大脉冲漏极电流(IDM)7A认证状态NotQualified表面贴装YES端子面层MatteTin(Sn)端子形式GULLWING端子位置DUAL处于峰值回流温度下的最长时间30晶体管应用SWITCHING晶体管元件材料SILICON
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参数名称
参数值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
Objectid
1791022481
零件包装代码
