SPW35N60C3
SPW35N60C3属性
- TO-247
- IBFINEON
SPW35N60C3描述
供应原装INFINEON英飞凌大功率MOS管SPW35N60C3丝印35N60C3封装TO-247
SPW35N60C3品牌英飞凌INFINEON
SPW35N60C3封装TO-247
SPW35N60C3参数通孔 N 沟道 650V 34.6A(Tc) 313W(Tc) PG-TO247-3
更多英飞凌MOS管欢迎联系电话0755-83035330 徐先生/曾小姐/胡小姐
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 34.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 21.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 313W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3
深圳市兴科泰科技有限公司
联系人:徐先生/曾小姐/胡小姐
电话:0755-83035330 /83035360
传真:(86)0755—83035361
邮件:iris_88888@163.com / mikexu_1113@163.com
xingke168@163.com
QQ:1851627772 / 305034673 / 394131999 /985947802
兴科泰科技公司分销多种国际知名品牌系列电子元器件如:FAIRCHILD、TOSHIBA、ST、IR、TI、ON、PHILIPS(NXP)、
INFINEON、IXYS、APT、VISHAY、FUJI、NIEC、SANYO、SANKEN、RENESAS、SAMSUNG、ATMEL、MAXIM、
DALLAS、POWER、ROHM、NEC、KEC、JRC、AOS、NS、AD、UTC、SEP等。
优势产品线:MOSFET场效应管、可控硅、快恢复二极管、肖特基管、大功率IGBT
以及集成电路IC、电源驱动IC、音响功放IC、 贴片MOSFET、片状二、三极管、桥堆。
蓝牙市场的潜SPW35N60C3力可不止于此,随着Bluetooth 5.1新标准的推出,这个过去仅在无线连接领域为人所SPW35N60C3熟知的技术,开始向更多的SPW35N60C3应用场景加速蔓延,比如高精度定位SPW35N60C3、资产追踪等。蓝牙这种可持续的创新潜力,也让以汇顶科技为代表的SPW35N60C3一众领军型芯片公司彻底下定决心,发力蓝牙芯片市场SPW35N60C3,用强悍的技术实力来推动整个蓝牙产业快速前进